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AOT10T60PL	文件：498.68 Kbytes Page：7 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF10T60	文件：79.81 Kbytes Page：3 Pages	PlasticEncapsulatedDevice	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF10T60P	文件：288.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.8Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOTF10T60P	文件：498.7 Kbytes Page：7 Pages	600V,10AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF10T60P	文件：498.68 Kbytes Page：7 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF10T60P	文件：498.69 Kbytes Page：7 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF10T60PL	文件：498.68 Kbytes Page：7 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF10T60PL	文件：498.69 Kbytes Page：7 Pages	RoHSandHalogenFreeCompliant	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW10T60	文件：315.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=10A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOW10T60	文件：255.81 Kbytes Page：6 Pages	600V,10AN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
SIGC10T60S
制造商：
INFINEON
制造商全称：
Infineon Technologies AG
功能描述：
IGBT3 Chip 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SIGC10T60S供应商更新时间2025-5-18 11:00:00

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