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SIE854DF	文件：127.8 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TLV854X	文件：1.47346 Mbytes Page：32 Pages	500-nA,RRIO,NanopowerOperationalAmplifiersforCost-OptimizedSystems	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
TSV854	文件：805.79 Kbytes Page：31 Pages	Low-power,high-accuracy,general-purposeoperationalamplifier	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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UCX854	文件：1.35319 Mbytes Page：31 Pages	UCx854High-PowerFactorPreregulator 1Features 1•ControlBoostPWMto0.99PowerFactor •LimitLine-CurrentDistortionto	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

详细参数

型号：
SIE854DF
功能描述：
MOSFET 100V 64A 125W 14.2mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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