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SIE836DF

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

文件:142.42 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SiE836DF

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

Vishay

威世科技

SIR836DP

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:115.62 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

SIR836DP

N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

文件:330.9 Kbytes 页数:13 Pages

TFUNK

威世

T-836

Flyback Transformer

文件:27.56 Kbytes 页数:1 Pages

RHOMBUS-IND

详细参数

  • 型号:

    SIE836DF

  • 功能描述:

    MOSFET 200V 18.3A 104W 130mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SIE836DF供应商 更新时间2025-10-7 11:10:00