| 订购数量 | 价格 | 
|---|---|
| 1+ | 
首页>SIA922EDJ-T1-GE3>芯片详情
SIA922EDJ-T1-GE3_VISHAY/威世_MOSFET 30V .064ohm@4.5V 4.5A N-Ch诺美思科技
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型描述 
- 型号:SIA922EDJ-T1-GE3 
- 功能描述:MOSFET 30V .064ohm@4.5V 4.5A N-Ch 
- RoHS:否 
- 制造商:STMicroelectronics 
- 晶体管极性:N-Channel 
- 汲极/源极击穿电压:650 V 
- 闸/源击穿电压:25 V 
- 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 
- RDS(导通):0.014 Ohms 
- 配置:Single 
- 安装风格:Through Hole 
- 封装/箱体:Max247 
- 封装:Tube 
相近型号
- SIA921EDJ-TI-GE3
- SIA923EDJ-T1G
- SIA921EDJ-T4-GE3
- SIA923EDJT1GE3
- SIA921EDJT4GE3
- SIA923EDJ-T1-GE3
- SIA921EDJ-T1-GE3-VB
- SIA923EDJ-T1-GE3CT
- SIA921EDJ-T1-GE3
- SIA923EDJ-T4-GE3
- SIA921EDJT1GE3
- SIA923EDJ-TI-GE3
- SIA921EDJ-T1-E3
- SIA921EDJ-T1/GE3
- SIA928DJ
- SIA921EDJ
- SIA928DJ-T1-E3
- SIA920DJ-T1-GE3
- SIA928DJT1GE3
- SIA920DJT1GE3
- SIA928DJ-T1-GE3
- SIA920DJ-T1-E3
- SIA929DJ
- SIA918EDJ-T1-GE3
- SIA929DJ-T1-E3
- SIA918EDJT1GE3
- SIA929DJT1GE3
- SIA918EDJ-T1-E3
- SIA929DJ-T1-GE3
- SIA918EDJ
- SIA929DJ-T1-GE3-VB
- SIA917DJ-T1-GE3
- SIA917DJT1GE3
- SIA929DN-T1-E3
- SIA917DJ-T1-E3
- SIA931DJ
- SIA915DJ-T4-GE3
- SIA931DJ-T1-E3
- SIA915DJ-T1-GE3
- SIA931DJT1GE3
- SIA915DJT1GE3
- SIA931DJ-T1-GE3
- SIA915DJ-T1-E3
- SIA914DJ-T1-GE3CT
- SIA936EDJ-T1-E3
- SIA914DJ-T1-GE3
- SIA936EDJT1GE3
- SIA914DJT1GE3
- SIA936EDJ-T1-GE3
- SIA914DJ-T1-E3



