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详细参数
- 型号：
SIA922EDJ-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 30V .064ohm@4.5V 4.5A N-Ch
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
标准封装 |
11548 |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
25+ |
PowerPAKSC-70 |
20300 |
VISHAY/威世原装特价SIA922EDJ-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货 |
询价 | ||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
VISHAY |
19+ |
PowerPAKS |
200000 |
询价 | |||
VISHAY |
24+ |
QFN6 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
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VISHAY |
25+ |
SC-70-6 |
3675 |
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VISHAY |
21+ |
QFN6 |
2133 |
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Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
QFN |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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更新时间2025-12-23 23:01:00
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