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SIA850DJ | N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode 文件：116.62 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SiA850DJ | N-Channel 190-V (D-S) MOSFET with 190-V Diode | Vishay 威世 | Vishay | |
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：109.37 Kbytes 页数：7 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
N-Channel 25-V (D-S) MOSFET 文件：309.48 Kbytes 页数：13 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
MINIATURE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER Reverse Voltage - 20 to 100 Volts Forward Current - 8.0 Amperes FEATURES . Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 . Metal sliicon junction, majority carriet conduction . Guard ring for overcoltage protection . Low power loss, high efficien 文件：143.17 Kbytes 页数：2 Pages | CHENG-YI 辰頤电子 | CHENG-YI |
详细参数
- 型号：
SIA850DJ
- 功能描述：
MOSFET 190V 0.95A 7.0W
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
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