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SIA907EDJT	文件：278.47 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •ThermallyenhancedThinPowerPAK®SC-70 package -Smallfootprintarea -Lowon-resistance •TypicalESDprotection:1500VHBM •Highspeedswitching •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIA907EDJT	文件：151.57 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIA907EDJT_V01	文件：278.47 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •ThermallyenhancedThinPowerPAK®SC-70 package -Smallfootprintarea -Lowon-resistance •TypicalESDprotection:1500VHBM •Highspeedswitching •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIA907EDJT-T1-GE3	文件：278.47 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •ThermallyenhancedThinPowerPAK®SC-70 package -Smallfootprintarea -Lowon-resistance •TypicalESDprotection:1500VHBM •Highspeedswitching •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIA907EDJT-T4-GE3	文件：278.47 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •ThermallyenhancedThinPowerPAK®SC-70 package -Smallfootprintarea -Lowon-resistance •TypicalESDprotection:1500VHBM •Highspeedswitching •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIA907EDJT-T1-GE3	文件：151.57 Kbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SII907B	文件：396.69 Kbytes Page：2 Pages	PanelLinkController	SILICONIMAGE Silicon image	SILICONIMAGE
SLA907F	文件：23.79 Kbytes Page：2 Pages	Highspeed,highintegrationgatearray DESCRIPTION TheSLA9000FseriesisaSOGtypeCMOSgatewhichhasrealizedhighspeed,highintegrationandhighdrivingcapability.Thisseriesisofferedwith2,784to44,070gatestoensureanoptimumapplicationforanymidsizehighspeedsystems. Thisseriesisdesignedtooperateonboth	EPSONEpson Company 爱普生精工爱普生株式会社	EPSON
SWTS907	文件：838.07 Kbytes Page：15 Pages	WHITESIDEVIEWLED	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
T-907	文件：30.18 Kbytes Page：1 Pages	FlybackTransformer	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

详细参数

型号：
SIA907EDJT
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
Dual P-Channel 20 V(D-S) MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市宝芯创电子有限公司	SIA907EDJT	VISHAY/威世通	15+	QFN6	24381	进口原盘现货/3K	询价
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京海半导体(深圳)有限公司	SIA907EDJT	VISHAY/威世通	21+	QFN6	10000	原装现货假一罚十	询价
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更多SIA907EDJT供应商更新时间2025-5-7 16:41:00

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