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SIA778DJ-T1-GE3	文件：158.69 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel 12 V and 20 V (D-S) MOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
SIA778DJ-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
TrenchFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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