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SIA778DJ-T1-GE3中文资料PDF规格书
产品属性
- 型号：
SIA778DJ-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
TrenchFET®
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
2023+ |
QFN-6 |
1500 |
全新原装正品,优势价格 |
询价 | ||
Vishay |
17+ |
P-PAKSC70-6 |
6000 |
进口原装正品假一赔十,货期7-10天 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
1925+ |
PowerPAKSC-70-6 |
45000 |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN |
12000 |
全新原装优势 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SC-70-6 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
V |
21+ |
QFN6 |
10001 |
询价 | |||
N/A |
21+ |
WLCSP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
N |
21+ |
WLCSP |
9866 |
询价 | |||
N/A |
2023+ |
WLCSP |
700000 |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
询价 | ||
VB |
21+ |
QFN6 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
