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SIA912DJ

Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SIA912DJ

Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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VISHAYVishay Siliconix

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SIA912DJ_V01

Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

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SiA912DJ

Dual N-Channel 12-V (D-S) MOSFET

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SIA912DJ

  • 功能描述:

    MOSFET 12V 4.5A 6.5W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
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更多SIA912DJ供应商 更新时间2026-2-4 10:10:00