首页 >SIA445EDJ>规格书列表

零件编号下载 订购功能描述/丝印制造商 上传企业LOGO

SIA445EDJ

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •ThermallyenhancedPowerPAKSC-70package -Smallfootprintarea -Lowon-resistance •100Rgtested •BuiltinESDprotectionwithZenerdiode •TypicalESDperformance:2000V •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIA445EDJ

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIA445EDJ_V02

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •ThermallyenhancedPowerPAKSC-70package -Smallfootprintarea -Lowon-resistance •100Rgtested •BuiltinESDprotectionwithZenerdiode •TypicalESDperformance:2000V •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIA445EDJ_V01

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIA445EDJT

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIA445EDJ-T1-GE3

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

详细参数

  • 型号:

    SIA445EDJ

  • 功能描述:

    MOSFET -20V 16.5mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
20+
DFN2x2
120000
原装正品 可含税交易
询价
VISHAY/威世
24+
DFN2020-6
98000
原装现货假一罚十
询价
VISHAY/威世
2511
DFN2x2
360000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
Vishay
24+
NA
3000
进口原装正品优势供应
询价
VISHAY
20+
DFN22
32550
原装优势主营型号-可开原型号增税票
询价
VISHAY(威世)
2447
SC-70-6
115000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
询价
VISHAY
20+
SC-70-6
6675
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!
询价
VISHAY
21+
DFN
11168
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询!
询价
VISHAY/威世
24+
QFN2X2-6
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
Vishay(威世)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
更多SIA445EDJ供应商 更新时间2025-7-24 14:00:00