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SI9933CDY-T1-E3 | Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS • Load switch • DC/DC converter 文件：213.09 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SOIC-8 | VISHAY/威世 上传：深圳市中联芯电子有限公司 | VISHAY/威世 | ||
DIP | KUANHIS | KUANHIS | ||
继电器 | KUANHIS | KUANHIS | ||
SIP-4 | COSMO |
详细参数
- 型号：
SI9933CDY-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 20V 4.0A 3.1W 58mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2024+ |
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VISHAY |
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SOP-8 |
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VISHAY |
2019+/2020+ |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOP-8 |
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Vishay(威世) |
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标准封装 |
6500 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
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更新时间2026-2-8 13:00:00
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