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SI9912DY-T1-E3	文件：95.15 Kbytes Page：8 Pages	Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power Supplies DESCRIPTION TheSi9912isadualMOSFEThigh-speeddriverwithbreak-before-make.Itisdesignedtooperateinhighfrequencydc-dcswitchmodepowersupplies.Thehigh-sidedriverisbootstrappedtohandlethehighvoltageslewrateassociatedwith“floating”high-sidegatedrivers.Eachdriveri	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI9912DY-T1-E3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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SI9912DY-T1-E3

文件：95.15 Kbytes

Page：8 Pages

Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power Supplies

DESCRIPTION TheSi9912isadualMOSFEThigh-speeddriverwithbreak-before-make.Itisdesignedtooperateinhighfrequencydc-dcswitchmodepowersupplies.Thehigh-sidedriverisbootstrappedtohandlethehighvoltageslewrateassociatedwith“floating”high-sidegatedrivers.Eachdriveri

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

SI9912DY-T1-E3

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：卷带（TR）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

产品属性

产品编号：
SI9912DY-T1-E3
制造商：
Vishay Siliconix
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1A，1A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
30ns，20ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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