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SI9934DY	文件：52.13 Kbytes Page：3 Pages	Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET General Description This P-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features • –5 A, –20 V, RDS(ON) = 50 mΩ @ VG 文件：52.13 Kbytes 页数：3 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SI9934DY	文件：92.68 Kbytes Page：5 Pages	Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET 2.5-V Rated 文件：92.68 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SI9934DY-T1-E3	文件：1.35093 Mbytes Page：8 Pages	Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET 文件：1.35093 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
Si9934DY	文件：300 bytes Page：1 Pages	20-V (D-S) Dual	Vishay 威世	Vishay
SI9934DY	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

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更多SI9934DY供应商更新时间2026-4-19 11:04:00