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SI8904EDB_V01

Bi-Directional N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • Ultra-Low RSS(on) and 22.5 mΩ Maximum Effective On-Resistance • ESD Protected: 4000 V • MICRO FOOT® Chipscale Packaging Reduces Footprint Area, Profile (0.65 mm) and On-Resistance Per Footprint Area APPLICATIONS • Battery Protection Circuit - 1-2 Ce

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VishayVishay Siliconix

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SI9112DY-T1-E3

14-SOIC

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SI9183DT-AD-T1

SOT153

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SI9241AEY

SOP8

VISHAY/威世

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上传:深圳安世裕电子科技有限公司

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更多SI8904EDB_V01供应商 更新时间2025-12-5 17:18:00