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SI8902EDB_V01	文件：249.1 Kbytes Page：10 Pages	Bi-Directional N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • Ultra-low RSS(on) • ESD protected: 4000 V • MICRO FOOT® chipscale packaging reduces footprint area profile (0.62 mm) and on-resistance per footprint area • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 APPLI 文件：249.1 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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更多SI8902EDB_V01供应商更新时间2025-12-10 10:35:00