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SI8823EDB_V01

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

FEATURES •TrenchFET®GenIIIp-channelpowerMOSFET •Compact0.8mmx0.8mmoutlinearea •Low0.4mmmax.profile •RDS(on)ratingatVGS=-1.5V •TypicalESDprotection:1900VHBM •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICA

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更多SI8823EDB_V01供应商 更新时间2025-7-29 16:06:00