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SI8429DB-T1-E1_VISHAY/威世科技_MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V汇莱威一部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号：
SI8429DB-T1-E1
- 功能描述：
MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
供应商
- 企业：
深圳市汇莱威科技有限公司
- 商铺：
- 联系人：
朱小姐
- 手机：
18126328660
- 询价：
- 电话：
0755-82767689
- 地址：
深圳市福田区华富路1046号华康大夏2栋503
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