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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
SI8429DB-T1-E1 | P-Channel 1.2 V (G-S) MOSFET 文件：215.06 Kbytes 页数：11 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
WLCSP | VISHAY | |||
SKYWORKS SOLUTIONS | SKYWORKS SOLUTIONS | |||
SOP8 | SILICON 上传：深圳市恒诺芯科技有限公司 | SILICON | ||
N/A | Silicon 上传：深圳市新思迈科技有限公司 | Silicon |
详细参数
- 型号：
SI8429DB-T1-E1
- 功能描述：
MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
2025+ |
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70000 |
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询价 | ||
VISHAY |
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Vishay/Siliconix |
24+ |
Microfet2x2 |
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VISHAY |
26+ |
NA |
24000 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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BGA |
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VISHAY/原装正品 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
BGA |
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更新时间2026-9-25 13:00:00
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