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VISHAYN/A

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深圳市旺财半导体有限公司

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深圳市凌旭科技有限公司

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VISHAYBGA

5052

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VISHAY/威世BGA

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深圳市明嘉莱科技有限公司

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SILICONSMD

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Vishay(威世)NA

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SILICONIXMicrofoot-4

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VISHAY/威世BGA

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深圳市芯为科技有限公司

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VISHAY/威世4-MICROFOOT

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Vishay(威世)NA

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Vishay/SiliconixMicrofet2x2

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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SI8429DB-T1-E1功能描述:MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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