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SI7983DP-T1-E3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双	NI National Instruments Inc. 相关企业：深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NI

详细参数

型号：
SI7983DP-T1-E3
功能描述：
MOSFET DUAL P-CH 20V(D-S)
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI7983DP-T1-E3供应商更新时间2024-4-29 15:30:00

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