| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK1212-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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501000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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VISHAYDFN |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)PowerPAK_1212-8 |
61843 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISQFN8 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
5250 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
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VISHAY/威世DFN33 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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VISHAYQFN8 |
6000 |
08+ |
绝对原装自己现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世DFN33 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世DFN33 |
50000 |
2022+ |
原厂代理 终端免费提供样品 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISQFN8 |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市福田区亿兴成电子商行6年
留言
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VISHAY/威世QFN |
6698 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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VISHAYQFN8 |
27976 |
1709+ |
普通 |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VISQFN8 |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
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深圳市昌源伟业科技有限公司11年
留言
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VISHAYQFN8 |
6 |
08+ |
现货原装库存热卖 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixPowerPAK? 1212-8 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYQFN8 |
12000 |
18+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAY/威世PowerPAK1212-8 |
22820 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VISHAY(威世)PowerPAK12128 |
6000 |
23+ |
SI7812DN采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7812DN图片
SI7812DN-T1-GE3价格
SI7812DN-T1-GE3价格：￥5.7361品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7812DN-T1-GE3多少钱，想知道SI7812DN-T1-GE3价格是多少？参考价：￥5.7361。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7812DN-T1-GE3批发价格及采购报价，SI7812DN-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI7812DN-T1-GE3报价。
SI7812DN-T1-GE3资讯
Si7812DN-T1-GE3 原装现货库存，优势供应 电话：0755-23616256 17722638859
专业为客户提供电子元器件一站式采购，配单，可开17点增值税发票
SI7812DN-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7812DN制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 75-V(D-S) MOSFET
SI7812DN-T1-E3功能描述:MOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7812DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
