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SI7812DN-T1-GE3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
SI7812DN-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
PowerPAK1212-8 |
11 |
原装正品现货库存假一赔十欢迎询价 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN3333 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
QFN8 |
30000 |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY |
24+ |
DFN |
86200 |
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VISHAY |
20+ |
DFN |
1675 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
TO |
32360 |
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VISHAY |
2018+ |
DFN |
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VISHAY |
23+ |
QFN8 |
8560 |
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VISHAY/威世 |
22+ |
PAK1212-8 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
VISHAT |
22+ |
DFN |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 |
