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SI7812DN-T1-E3中文资料威世科技数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号:
SI7812DN-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
NA/ |
5250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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VISHAY/威世 |
22+ |
PAK1212-8 |
25000 |
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VISHAY |
13+ |
QFN8 |
1 |
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VISHAY/威世 |
2450+ |
QFN |
8850 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
PowerPAK1212-8 |
20300 |
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VISHAY |
2024+ |
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70000 |
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VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAK1212-8 |
9908 |
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VISHAY/威世 |
24+ |
QFN |
27950 |
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VISHAY |
24+ |
QFN8 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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Vishay/Siliconix |
24+ |
PowerPAK1212-8 |
7500 |
询价 |