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详细参数
- 型号：
SI7462DP-T1-E3
- 功能描述：
MOSFET 200V 4.1A 4.8W 130mohm @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay/Siliconix |
24+ |
8-SOIC |
7500 |
询价 | |||
VISHAY |
24+ |
SO-8 |
5000 |
只做原装公司现货 |
询价 | ||
VISHAY |
18+ |
SO-8 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
Siliconix / Vishay |
2022+ |
3001 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
VISHAY |
25+ |
DFN-8 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
VISHAY |
23+ |
QFN8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
23+ |
SO-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
21+ |
QFN8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
VISHAY/威世 |
2022+ |
SO-8 |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
VISHAY |
13+ |
QFN8 |
15 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 |
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更新时间2025-11-20 10:02:00
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- XC6501A281GR-G
- XC6124D317ER-G
- XC6124D325MR-G
- XC6124D326MR-G
- XC6124D328ER-G
- XC6124D329MR-G
- XC6124F517ER-G
- XC6124F518ER-G
- XC6124F519ER-G
- XC6124F521MR-G
- XC6124F526MR-G
- SMAL7
- SMALL KIT NT
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- XC6501P181HR-G
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- XC6501P301HR-G
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- SMA17
- SMA180
- SMA18-1S
- SMA2
- SR0303-0320L-01
- SR030-FFM
- SR030-MMM
- SR031-FFMFF
- SR031-MMMMM
- SMB22A
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- SO-U2P1-2G
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