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SI7491DP-T1-E3

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:159.41 Kbytes 页数:8 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

Si7611DN-T1-GE3

QFN

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

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SI7613DN-T1-GE3

DFN3X3-8

VISHAY/威世

SI7613DN-T1-GE3

PowerPAK1212-8

VISHAY(威世)

SI7615ADN-T1-GE3

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VISHAY/威世

详细参数

  • 型号:

    SI7491DP-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 18A 5.0W 8.5mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI7491DP-T1-E3供应商 更新时间2025-11-30 14:13:00