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SI7454CDP	文件：105.17 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7454DDP	文件：347.26 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7454DDP	文件：345.42 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI7454DP	文件：196.79 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7454DP	文件：48.29 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7454DP	文件：369.35 Kbytes Page：12 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFETs •NewlowthermalresistancePowerPAK® packagewithlow1.07mmprofile •PWMoptimizedforfastswitching •100Rgtested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Primarysideswit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI7454FDP	文件：260.329 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •VerylowRDSxQgfigure-of-merit(FOM) •TunedforthelowestRDSxQossFOM •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Synchronousrectification •Prim	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SM7454	文件：97.62 Kbytes Page：5 Pages	4WIDEANDORIINVENTGATES	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
SN7454	文件：397.79 Kbytes Page：12 Pages	4-WIDEAND-OR-INVERTGATES PackageOptionsInctudePlastic“Small Outline’Packages,CeramicChipCarriers andFlatPackages,andPlasticandCeramic DIPs DependableTexasInstrumentsQualityand Reliability description ‘Thesedevicescontain4-wideAND-OR-INVERTgates. TheyperformthefollowingBooleanfunctio	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
SN7454	文件：406.42 Kbytes Page：11 Pages	5-WIDEAND-OR-INVERTGATES	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

详细参数

型号：
SI7454CDP
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
TrenchFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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