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SI7444DP

VISHAYQFN

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SI7444DP-T1-E3

VISHAY/威世QFN8

11200

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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

深圳市诺美思科技有限公司

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SI7444DP-T1-E3

VISHAY原厂封装

9800

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深圳市威尔健半导体有限公司

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VISHAY/威世QFN

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深圳市佳芯扬电子有限公司

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SI7444DP-T1-GE3

VISHAY/威世NA

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深圳市威尔健半导体有限公司

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SI7444DP-T1-GE3

VISHAY/威世QFN

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全新原装正品现货,支持订货

深圳市信科微科技有限公司

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SI7444DP-T1-E3

VISHAYQFN

3000

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原厂渠道 可含税出货，支持一站式配单

京海半导体(深圳)有限公司

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SI7444DP-T1-E3

VISHAYQFN

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深圳市创新迹电子有限公司

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SI7444DP-T1-E3

VISHAYQFN

20000

22+

公司只做原装 品质保证

深圳市安富世纪电子有限公司

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VISHAY/威世QFN

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全新原装正品现货,支持订货

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SI7444DP-T1-E3

VISHAYTSSOP-14

8000

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原厂原包装,终端BOM表可配单

深圳市川科科技有限公司

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SI7444DP-T1-GE3

VISHAY-威世SMD-8.贴片

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SI7444DP-T1-E3

VISHAY/威世QFN

10000

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SI7444DP

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SI7444DP-T1-E3功能描述:MOSFET 40V 23.6A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7444DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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