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SI7444DP-T1-E3

VISHAY
QFN

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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SI7444DP-T1-E3

VISHAY
QFN

TFUNKVishay Telefunken

威世威世(VISHAY)集团

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SI7444DP-T1-E3

VISHAY
QFN

BARRY

Vishay Barry

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详细参数

  • 型号:

    SI7444DP-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 40V 23.6A 1.9W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
21+
QFN
10000
原装现货假一罚十
询价
VISHAY/威世
23+
QFN8
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
询价
VISHAY
23+
QFN
5500
原厂原装正品
询价
VISHAY
20+
QFN
3000
进口原装现货,假一赔十
询价
VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
VISHAY/威世
24+
NA/
96
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
NK/南科功率
2025+
DFN5060
986966
国产
询价
24+
3000
自己现货
询价
VIS
23+
QFN8
5000
原装正品,假一罚十
询价
更多SI7444DP-T1-E3供应商 更新时间2025-5-29 10:11:00