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详细参数

  • 型号:

    SI7444DP-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 40V 23.6A 5.4W 6.1mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
VISHAY/威世
23+
QFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
VB
21+
QFN8
10000
原装现货假一罚十
询价
VISHAY/威世
24+
NA/
96
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
询价
NK/南科功率
2025+
DFN5060
986966
国产
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SI厂家
2450+
QFN-8
6540
只做原装正品现货或订货!终端客户免费申请样品!
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24+
3000
自己现货
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VIS
23+
QFN8
5000
原装正品,假一罚十
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SI
24+
QFN-8
5000
只做原装公司现货
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VISHAY
25+
SO-8
2679
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更多SI7444DP-T1-GE3供应商 更新时间2025-12-7 13:01:00