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SI7431DP-T1-GE3

VISHAY/威世PowerPAK-SO-8

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SI7430DP-T1-GE3

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深圳市诚利顺电子科技有限公司

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SI7463

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SI7411DN-T1-E3

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SI7465DP-T1-E3

VISHAY/威世QFN8

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VISHAYQFN8

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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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VISHAY/威世PowerPAK-SO-8

33500

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VISHAY/威世PAKSO-8

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SI7411DN价格

SI7411DN价格:¥1.5600品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI7411DN多少钱,想知道SI7411DN价格是多少?参考价:¥1.5600。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7411DN批发价格及采购报价,SI7411DN销售排行榜及行情走势,SI7411DN报价。

SI7461DP-T1-GE3资讯

SI7431DP-T1-GE3 MOSFET

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SI7450DP-T1-E3

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SI7469DP-T1-GE

SI7469DP-T1-GE 备有大量现货,全新原装正品,可承诺假一赔十。 销售代表:李先生 18928479479 0755-36937029

SI7489DP-T1-GE3 深圳市力拓辉电子有限公司

SI7489DP-T1-GE3 产品种类: MOSFET 制造商: Vishay RoHS: 符合RoHS 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOIC-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: - 100 V Id-连续漏极电流: 7.8 A Rds On-漏源导通电阻: 41 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

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SI7401DN-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 11A 3.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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SI7402DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 20A 3.8W 5.7mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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