SI7431DP-T1-GE3
规格信息：
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8
通道数量:1 Channel
晶体管极性:P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:3.6 A
Rds On-漏源导通电阻:147 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Vgs - 栅极-源极电压:20 V
Qg-栅极电荷:88 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.9 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
高度:1.04 mm
长度:6.15 mm
系列:SI7
宽度:5.15 mm
商标:Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值:17 S
下降时间:66 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:49 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:110 ns
典型接通延迟时间:23 ns
零件号别名:SI7431DP-GE3
单位重量:506.600 mg
