首页 >SI7382DP-T1-E3>规格书列表

抱歉:您搜索的 SI7382DP-T1-E3 暂无相关数据

可以在线咨询客服为你深度寻找

详细参数

  • 型号:

    SI7382DP-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 24A 5.0W 4.7mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY/威世
25+
QFN-8
47885
VISHAY/威世全新特价SI7382DP-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货
询价
VISHAY/威世
2025+
QFN-8
5000
原装进口,免费送样品!
询价
VISHAY
16+
QFN-8
15000
进口原装现货/价格优势!
询价
VISHAY
24+
POWERPAK
53000
绝对原装正品现货假一罚十
询价
VISHAY/威世
09+PB
QFN-8
15000
原装正品 可含税交易
询价
VISHAY/威世
2021+
QFN
9000
原装现货,随时欢迎询价
询价
Vishay/Siliconix
24+
8-SOIC
7500
询价
VISHAY
2016+
QFN
9000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
VISHAY
25+
QFN8
1402
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
VISHAY
17+
QFN
6200
100%原装正品现货
询价
更多SI7382DP-T1-E3供应商 更新时间2025-12-23 18:08:00