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SI7411DN-T1-GE3

VISHAY
QFN

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

相关企业:深圳市凌旭科技有限公司

SI7411DN-T1-GE3

VISHAY
QFN

TFUNKVishay Telefunken

威世威世(VISHAY)集团

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SI7411DN-T1-GE3

VISHAY
QFN

BARRY

Vishay Barry

相关企业:深圳市凌旭科技有限公司

详细参数

  • 型号:

    SI7411DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 11.4A 3.6W 19mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
VISHAY
2016+
QFN
3500
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VISHAY
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PowerPAK1212-8
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
23+
PowerPAK1212-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
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VISHAY/威世
21+
QFN
10000
原装现货假一罚十
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更多SI7411DN-T1-GE3供应商 更新时间2025-7-26 22:58:00