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SI7392DP-T1-E3

VISHAY/威世QFN

3333

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瀚佳科技(深圳)有限公司

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VISHAYQR

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深圳市凌旭科技有限公司

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SI7392DP-T1-E3

VISHAYQFN

4000

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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市科达星科技有限公司

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VISHAYSO-8

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VISHAY/威世QFN

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SI7392DP-T1-E3

VISHAY

161

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京海半导体(深圳)有限公司

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VISHAY/威世QFN

10000

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SILLLP-8

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VBSEMI/台湾微碧TDSON8

90000

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全新原装现货

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SI7392DP

VISHAYQFN5*6

2166

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深圳市安富世纪电子有限公司

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SI7392DP

SIRLCONIQFN

50000

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全新原装正品现货,支持订货

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SI7392DP

VISHAYQFN5*6

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SI7392DP

VISHAYQFN

86910

26+

代理授权原装正品价格最实惠 本公司承诺假一赔百

深圳市赛美科科技有限公司

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SI7392DP

SILICONIQFN8

68500

一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货

深圳市天芯威科技有限公司

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VISHAYQFN5*6

25836

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新到现货，只做全新原装正品

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SI7392DP

VISHAYQFN5*6

20000

22+

公司只做原装 品质保证

深圳市诺美思科技有限公司

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SI7392DP

VISHAY原厂封装

9800

原装进口公司现货假一赔百

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SI7392DP

VISHAYQFN

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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市威尔健半导体有限公司

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SI7392DP

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SI7392DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel Reduced Qg, Fast Switching WFET

SI7392DP-T1功能描述:MOSFET 30V 15A 1.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7392DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 15A 1.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI7392DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 15A 5.0W 9.75mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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