| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
VISHAYQFN |
4000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
标准国际(香港)有限公司16年
留言
|
161 |
07+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
||||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世QFN8 |
3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
3333 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
VISHAYQR |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳硅原半导体有限公司8年
留言
|
VISHAY/威世QFN8 |
12500 |
2022+ |
全新原装 正品现货 诚信经营 终生质保 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
04+VISHAY |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世SO-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
|
SIRLCONIXQFP |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
VISHAYSOP8 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世NA/ |
5348 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
|
深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
12000 |
22+ |
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十 |
|||
|
深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
|
VISHAYQFN |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
|
深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
|
VISHAYQFN8 |
23589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
|||
|
深圳市吉银科技有限公司1年
留言
|
SIX |
860 |
1535+ |
||||
|
上海鑫科润电子科技有限公司7年
留言
|
VISHAYQFN/8 |
2098 |
04+ |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
|||
|
深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
|
VISHAY/威世QFN8 |
9852 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
SI7392DP-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7392DP-T1图片
SI7392DP-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7392DP-T1功能描述:MOSFET 30V 15A 1.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7392DP-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 15A 1.8W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7392DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 15A 5.0W 9.75mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
