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深圳市一线半导体有限公司

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VISHAYSSOP-8

100000

24+

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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SIssop

28614

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一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、

深圳市宇集芯电子有限公司

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SILICONIXMSOP8

90000

25+

一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理

深圳市河锋鑫科技有限公司

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Vishay Siliconix8TSSOP

9000

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原厂渠道,现货配单

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世TSSOP8

8850

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!

千层芯半导体(深圳)有限公司

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SILICONIXTSSOP-8

6010

24+

只做原装正品

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世8-TSSOP

9850

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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市佳鑫美电子科技有限公司

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VISHAYTSSOP8

2568

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原装优势!绝对公司现货

深圳市华斯顿科技有限公司

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VISHAY/SITSSOP8

35296

25+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳市胜彬电子有限公司

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SILICONIXMSOP8

3000

22+

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:¥0.01

原装正品,支持实单

深圳市毅创腾电子科技有限公司

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SIMSOP/8

7000

23+

绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购!

深圳市创新迹电子有限公司

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VISHAY/威世TSSOP-8

20000

22+

只做原装

深圳市川科科技有限公司

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VISHAY-威世TSSOP-8

78800

24+25+/26+27+

1
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1000
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库

深圳市向鸿伟业电子有限公司

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VISHAY/威世MSOP-8

11809

2403+

原装现货!欢迎随时咨询!

深圳市东来宝电子科技有限公司

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VISHAY/威世TSSOP8

27950

24+

郑重承诺只做原装进口现货

深圳市一线半导体有限公司

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3000

24+

自己现货

深圳市一线半导体有限公司

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SILICONIXMSOP8

2400

24+

齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司

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VISMSOP8

35623

23+

原装正品,假一罚十

海芯未来半导体电子(深圳)有限公司

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SILICONIXMSOP8

9642

25+

只做原装进口!正品支持实单!

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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VISHAY/威世TSSOP8

11200

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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

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SI6966制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

SI6966DQ功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6966DQ-T1功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6966DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6966DQ-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; 20V, N-CH, 30MOHM, 32M CELL Trench

SI6966DQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1.14W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6966EDQ制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N-channel MOSFET,SI6966EDQ 20V 4.5A

SI6966EDQ-T1功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6966EDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI6966EDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 5.2A 1.25W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube