选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
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VISHAYTSSOP-8 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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SIssop |
28614 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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VISHAYSSOP-8 |
100000 |
07+ |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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FAIRCHILDNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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SILICONIX |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世TSSOP8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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VISHAYTSSOP8 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
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VISHAYTSSOP8 |
122 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHATTSSOP-8 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
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SILICONIXMSOP8 |
23589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
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SILICONIXMSOP8 |
90000 |
20+ |
原装正品现货/价格优势 |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
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VISHAY/SITSSOP8 |
35296 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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深圳市水星电子有限公司3年
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VISHAY/威世TSSOP8 |
2317 |
23+ |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单。 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHATNA/ |
496 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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SILICONIXMSOP8 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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FAIRCTSSOP-8P |
60000 |
16+ |
绝对原装进口现货可开17%增值税发票 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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SIMSOP/8 |
7000 |
23+ |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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FAIRCHILDDIP-40 |
18000 |
23+ |
SI6966采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI6966图片
SI6966DQ中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6966制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6966DQ功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966DQ-T1功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966DQ-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; 20V, N-CH, 30MOHM, 32M CELL Trench
SI6966DQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1.14W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966EDQ制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N-channel MOSFET,SI6966EDQ 20V 4.5A
SI6966EDQ-T1功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966EDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966EDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 5.2A 1.25W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube