| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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17年
留言
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VISHAYSSOP-8 |
100000 |
24+ |
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SIssop |
28614 |
23+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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12年
留言
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SILICONIXMSOP8 |
90000 |
25+ |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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5年
留言
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Vishay Siliconix8TSSOP |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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11年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
8850 |
2450+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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8年
留言
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SILICONIXTSSOP-8 |
6010 |
24+ |
只做原装正品 |
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12年
留言
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VISHAY/威世8-TSSOP |
9850 |
2450+ |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
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13年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
2568 |
25+ |
原装优势!绝对公司现货 |
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15年
留言
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VISHAY/SITSSOP8 |
35296 |
25+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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13年
留言
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SILICONIXMSOP8 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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13年
留言
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SIMSOP/8 |
7000 |
23+ |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
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3年
留言
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
20000 |
22+ |
只做原装 |
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6年
留言
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VISHAY-威世TSSOP-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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14年
留言
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VISHAY/威世MSOP-8 |
11809 |
2403+ |
原装现货!欢迎随时咨询! |
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13年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
27950 |
24+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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17年
留言
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3000 |
24+ |
自己现货 |
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17年
留言
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SILICONIXMSOP8 |
2400 |
24+ |
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10年
留言
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VISMSOP8 |
35623 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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SILICONIXMSOP8 |
9642 |
25+ |
只做原装进口!正品支持实单! |
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VISHAY/威世TSSOP8 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
SI6966采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI6966图片
SI6966EDQ-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6966制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6966DQ功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966DQ-T1功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966DQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966DQ-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; 20V, N-CH, 30MOHM, 32M CELL Trench
SI6966DQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1.14W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966EDQ制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N-channel MOSFET,SI6966EDQ 20V 4.5A
SI6966EDQ-T1功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966EDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966EDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 5.2A 1.25W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube






























