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SI6966DQ

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free Option Available • TrenchFET® Power MOSFETs: 2.5 V Rated

文件:103.53 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI6966DQ

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

General Description This N-Channel 2.5V specified MOSFET is a rugged gate version of Fairchilds Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications with a wide range of gate drive voltage (2.5V – 12V). Features • 5.5 A, 20 V. RDS(ON) = 0.021 Ω @

文件:80.9 Kbytes 页数:5 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

SI6966DQ

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

文件:104.47 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI6966DQ_V01

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free Option Available • TrenchFET® Power MOSFETs: 2.5 V Rated

文件:103.53 Kbytes 页数:5 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI6966DQ-T1-GE3

Dual N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

文件:963.85 Kbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

Si6966DQ

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

Vishay

威世

详细参数

  • 型号:

    SI6966DQ

  • 功能描述:

    MOSFET TSSOP8 DUAL NCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SI6966DQ供应商 更新时间2026-1-30 16:01:00