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SI6968BEDQ-T1

Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

FEATURES • TrenchFET® power MOSFETs • ESD protected: 3000 V • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note • *(Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant. Exemptions may apply

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SI6968BEDQ-T1

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

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SI6968BEDQ-T1

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

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SI6968BEDQ-T1-GE3

Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

FEATURES • TrenchFET® power MOSFETs • ESD protected: 3000 V • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 Note • *(Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant. Exemptions may apply

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Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

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详细参数

  • 型号:

    SI6968BEDQ-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 6.5A 1.0W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI6968BEDQ-T1供应商 更新时间2025-12-10 15:14:00