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SI6968BEDQ-T1-GE3中文资料PDF规格书

SI6968BEDQ-T1-GE3
厂商型号

SI6968BEDQ-T1-GE3

功能描述

Dual N-Channel 2.5 V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection

文件大小

256.69 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 20:06:00

SI6968BEDQ-T1-GE3规格书详情

FEATURES

• TrenchFET® power MOSFETs

• ESD protected: 3000 V

• Material categorization: for definitions of

compliance please see www.vishay.com/doc?99912

Note

• *(Pb)-containing terminations are not RoHS-compliant.

Exemptions may apply

产品属性

  • 型号:

    SI6968BEDQ-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET Dual N-Ch MOSFET 20V 22mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Vishay Siliconix
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30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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