| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
28616 |
22+ |
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TSSOP-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISMSOP8 |
35623 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世MSOP8 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世MSOP8 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VBMSOP8 |
55000 |
2019 |
绝对原装正品假一罚十! |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VBSEMIMSOP8 |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SILICONIX |
589220 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TSSOP8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAYTSSOP8 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAY/威世TSSOP-8 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHATTSSOP-8 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
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SILICONIXMSOP8 |
23589 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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SILICONIXMSOP8 |
90000 |
20+ |
原装正品现货/价格优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHATNA/ |
496 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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SILICONIXMSOP8 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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SIMSOP/8 |
7000 |
23+ |
绝对全新原装!100%保质量特价!请放心订购! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHATTSSOP-8 |
58209 |
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世TSSOP-8 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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SI6966EDQ图片
SI6966EDQ-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI6966EDQ制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N-channel MOSFET,SI6966EDQ 20V 4.5A
SI6966EDQ-T1功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966EDQ-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI6966EDQ-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 5.2A 1.25W 30mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
