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SI6465DQ	文件：95.31 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
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SI7006-A20-IM1R	文件：0 bytes Page：0 Pages	SILICON DFN	SILICON 上传：深圳市上美通科技有限公司	SILICON

详细参数

型号：
SI6465DQ
功能描述：
MOSFET 8V 8.8A 1.5W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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