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SI6544BDQ-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VB TSSOP8	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司相关企业：京海半导体(深圳)有限公司	VBSEMI
SI6544BDQ-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VB TSSOP8	VBWEABUDongguan VBWEABU Electronic Technology Co. ，Ltd. 唯步电子东莞市唯步电子科技有限公司相关企业：京海半导体(深圳)有限公司	VBWEABU
SI6544BDQ-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY TSSOP-8	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团相关企业：深圳市科雨电子有限公司	TFUNK
SI6544BDQ-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY TSSOP-8	BARRY Vishay Barry 相关企业：深圳市科雨电子有限公司	BARRY

详细参数

型号：
SI6544BDQ-T1-GE3
功能描述：
MOSFET N/P-Ch MOSFET 30V 32/43mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI6544BDQ-T1-GE3供应商更新时间2025-5-21 10:19:00

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