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SI5997DU | Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® ChipFET® Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance - Thin 0.8 mm Profile • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load 文件：165.61 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SI5997DU | Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET 文件：164.89 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • New Thermally Enhanced PowerPAK® ChipFET® Package - Small Footprint Area - Low On-Resistance - Thin 0.8 mm Profile • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load 文件：165.61 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | ||
Si5997DU | Dual P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | Vishay 威世 | Vishay |
详细参数
- 型号：
SI5997DU
- 功能描述：
MOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
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