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SI5856DC-T1-E3

N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode

文件:111.48 Kbytes 页数:7 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI5856DC-T1-E3

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件:1.10493 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

SI6423DQ-T1-GE3

NA

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

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SI7006-A20-IM1R

DFN

SILICON

SI7020-A20-GM1R

DFN

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI5856DC-T1-E3

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI5856DC-T1-E3供应商 更新时间2026-2-2 19:45:00