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SI5856DC-T1-E3 | N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode 文件:111.48 Kbytes 页数:7 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY | |
SI5856DC-T1-E3 | Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件:1.10493 Mbytes 页数:8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | |
NA | VISHAY | |||
DFN | SILICON 上传:深圳市上美通科技有限公司 | SILICON | ||
DFN | SILICON 上传:深圳市上美通科技有限公司 | SILICON |
详细参数
- 型号:
SI5856DC-T1-E3
- 功能描述:
MOSFET 20V 5.9A 2.1W 40mohm @ 4.5V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
25+ |
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更新时间2026-2-2 19:45:00
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