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SI5853DC-T1

P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode

文件:122.33 Kbytes 页数:6 Pages

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SI5853DC-T1-E3

P-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET with Schottky Diode

文件:180.17 Kbytes 页数:9 Pages

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SI5855DC-T1-E3

1206-8

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SI6423DQ-T1-GE3

NA

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上传:深圳市品优时代科技有限公司

SI7006-A20-IM1R

DFN

SILICON

详细参数

  • 型号:

    SI5853DC-T1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 3.6A 2.1W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多SI5853DC-T1供应商 更新时间2025-12-1 9:03:00