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SI5480DU-T1-GE3	文件：0 bytes Page：0 Pages	Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 单	NI National Instruments Inc. 相关企业：深圳市鹏顺微电子科技有限公司	NI

详细参数

型号：
SI5480DU-T1-GE3
功能描述：
MOSFET 30V 12A 31W 16mohm @ 10V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SI5480DU-T1-GE3供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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