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深圳市宏捷佳电子科技有限公司深圳市宏捷佳电子科技有限公司电话： 0755-83214703/22669259 手机： 15919729761 询价：联系人：夏小姐/李先生地址：福田区华强北路上步工业区102栋620室详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-7-27 15:51:00 16年留言	SI5513DC	SISOT23-8	50000	2024+	原装现货
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司电话： 021-32301707 手机： 18616352679 询价：联系人：王先生/綦先生【原装正品】地址：上海市静安区海宁路1399号/北京市海淀区中海园电子市场/青岛市城阳区正阳路205号详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-7-27 15:36:00 10年留言	SI5513DC	VISHAYMLP-8	5000	23+	原装正品,假一罚十
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司深圳市澳亿芯电子科技有限公司电话： 13760200702 手机： 13760200702 询价：联系人：李先生★★原厂授权一级分销★★ 地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海大厦C-707 详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-7-27 10:21:00 10年留言	SI5513DC	SOT23-8	1	25+	普通
深圳市维基鸿电子有限公司深圳市维基鸿电子有限公司电话： 19520735817,13058174971 手机： 19520735817 询价：联系人：米小姐程小姐地址：广东省深圳市福田区上步工业区205栋三楼详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-7-27 9:02:00 16年留言	SI5513DC	SISOT23-8	10000	25+	全新原装现货库存
深圳市坤融电子科技有限公司深圳市坤融电子科技有限公司电话： 0755-23990975 手机： 13510287235 询价：联系人：黄先生地址：深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层I 详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-7-27 16:36:00 7年留言	SI5513DC-T1-GE3 热卖搜	VISHAY/威世1206-8	5000	2025+	原装进口,免费送样品!
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深圳市益百分电子有限公司深圳市益百分电子有限公司电话： 0755-82507770 手机： 13430942476 询价：联系人：陈小姐地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座27J 详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-7-28 8:01:00 12年留言	SI5513DC-T1-E3 搜	VISHAYMSOP8	2145	07PB	全新原装进口自己库存优势
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深圳市华来深电子有限公司深圳市华来深电子有限公司电话： 0755-83238902/15013580756 手机： 13751106682 询价：联系人：朱先生地址：深圳市福田区华强北上步工业区205栋商务大夏4A15室详情：商铺留言信息核实：点击爱企查核实工商信息更新时间： 2026-7-28 8:01:00 13年留言	SI5513DC-T1-E3 搜	VISHAYSOT23-8	8650	23+	受权代理!全新原装现货特价热卖!
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SI5513DC-T1中文资料Alldatasheet PDF

SI5513DC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary 20-V(D-S) MOSFET

SI5513DC-T1功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI5513DC-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 4.2/2.9A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI5513DC-T1-GE3功能描述:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列系列:TrenchFET® 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664(CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR