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SI5457DC	文件：244.92 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PortableDevices -LoadSwitch -ChargerSwitch -BatterySwitch -DC/DCConverter	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI5457DC_V01	文件：266.15 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SI5457DC-T1-GE3	文件：266.15 Kbytes Page：11 Pages	P-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
G5457	文件：151.38 Kbytes Page：1 Pages	Push-InThreadedPlugs	Heyco Heyco	Heyco
HM5457	文件：568.97 Kbytes Page：6 Pages	2-in-1lithiumbatteryprotectionIC	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
MAX5457EEE	文件：462.79 Kbytes Page：20 Pages	StereoAudioTaperPotentiometerswithPushbuttonInterface GeneralDescription TheMAX5456/MAX5457dual,logarithmictaperdigitalpotentiometersfeatureasimplepushbuttoninterfacethatcontrolsvolumeandbalanceinaudioapplications.Eachpotentiometerhas32tappointsandreplacesmechanicalpotentiometers.RefertotheMAX5408–MAX5411datashee	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MAX5457ETE	文件：462.79 Kbytes Page：20 Pages	StereoAudioTaperPotentiometerswithPushbuttonInterface GeneralDescription TheMAX5456/MAX5457dual,logarithmictaperdigitalpotentiometersfeatureasimplepushbuttoninterfacethatcontrolsvolumeandbalanceinaudioapplications.Eachpotentiometerhas32tappointsandreplacesmechanicalpotentiometers.RefertotheMAX5408–MAX5411datashee	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
MM5457	文件：277.43 Kbytes Page：4 Pages	DIGITALALARMCLOCKS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MM5457N	文件：277.43 Kbytes Page：4 Pages	DIGITALALARMCLOCKS	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MMBF5457	文件：247.06 Kbytes Page：7 Pages	TolearnmoreaboutONSemiconductor,pleasevisitourwebsiteat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBF5457	文件：130.81 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBF5457	文件：105.4 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelGeneralPurposeAmplifier N-ChannelGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisalowlevelaudioamplifierandswitchingtransistors,andcanbeusedforanalogswitchingapplications.SourcedfromProcess55.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
N5457	文件：845.78 Kbytes Page：13 Pages	SegmentedMemoryAcquisitionforAgilentInfiniiVisionSeriesOscilloscopes	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
N5457A	文件：802.14 Kbytes Page：10 Pages	TriggeringandHardware-BasedDecode	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
N5457A	文件：4.30336 Mbytes Page：17 Pages	Low-ProfileOscilloscopes	KEYSIGHTKeysight Technologies 德科技（中国德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
NTE5457	文件：25.91 Kbytes Page：2 Pages	SiliconControlledRectifier(SCR)4AmpSensitiveGate Description: TheNTE5452throughNTE5458aresensitivegate4AmpSCR’sinaTO202typepackagedesignedtobedrivendirectlywithICandMOSdevices.Thesereverse–blockingtriodethyristorsmaybeswitchedfromoff–statetoconductionbyacurrentpulseappliedtothegateterminal.Theyare	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
SDA5457	文件：91.28 Kbytes Page：2 Pages	VideoTextController	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
SMP5457	文件：213.13 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistors SmallOutline(SurfaceMount)PackageDevices	InterFET InterFET Corporation	InterFET

详细参数

型号：
SI5457DC
功能描述：
MOSFET 20V 6A 5.7W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多SI5457DC供应商更新时间2024-5-22 16:42:00

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