| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAY |
5000 |
有部份现货 |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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SILCONIXMLP1206-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAY/威世1206A-8 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
880000 |
14+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
9252 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
4618 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
90000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VISHAY-威世SOP-8.贴片 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT23-8 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市辰德隆电子科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
6000 |
23+ |
原装/报价当天为准 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世1206-8 |
8678 |
23+ |
原厂原装 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT23-8 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAY1206-8 |
9252 |
14+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
120000 |
20+ |
只做原装 可免费提供样品 |
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芯权科技（深圳）有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
360000 |
23+ |
只做原装现货/实单可谈/支持含税拆样 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世1206A-8 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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SI5461EDC图片
Si5461EDC-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI5461EDC制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI5461EDC-T1功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5461EDC-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI5461EDC-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; P-CH, 20V(D-S) 45MOHM CHIPFET
SI5461EDC-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 6.2A 2.5W 45mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
